▲ ①有源元件:一種需要外部電源才能實(shí)現(xiàn)其特定功能的器件,就像半導(dǎo)體存儲(chǔ)器或邏輯半導(dǎo)體。
▲ ②無源元件:一種不具備放大或轉(zhuǎn)換電能等主動(dòng)功能的器件。
▲ ③電容器(Capacitor):一種儲(chǔ)存電荷并提供電容量的元件。
封裝通常采用細(xì)間距球柵陣列(FBGA)或薄型小尺寸封裝(TSOP)的形式,如圖2所示。FBGA封裝中的錫球④和TSOP封裝中的引線⑤分別充當(dāng)引腳,使封裝的芯片能夠與外部組件之間實(shí)現(xiàn)電氣和機(jī)械連接。
▲ ④錫(Solder):一種低熔點(diǎn)金屬,支持電氣和機(jī)械鍵合。
▲ ⑤引線(Lead):從電路或元件終端向外引出的導(dǎo)線,用于連接至電路板。
此外,半導(dǎo)體封裝可以實(shí)現(xiàn)從芯片到系統(tǒng)之間的電氣和機(jī)械連接。封裝通過芯片和系統(tǒng)之間的電氣連接來為芯片供電,同時(shí)為芯片提供信號(hào)的輸入和輸出通路。在機(jī)械連接方面,需將芯片可靠地連接至系統(tǒng),以確保使用時(shí)芯片和系統(tǒng)之間連接良好。
同時(shí),封裝需將半導(dǎo)體芯片和器件產(chǎn)生的熱量迅速散發(fā)出去。在半導(dǎo)體產(chǎn)品工作過程中,電流通過電阻時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量。如圖3所示,半導(dǎo)體封裝將芯片完全地包裹了起來。如果半導(dǎo)體封裝無法有效散熱,則芯片可能會(huì)過熱,導(dǎo)致內(nèi)部晶體管升溫過快而無法工作。因此,對(duì)于半導(dǎo)體封裝技術(shù)而言,有效散熱至關(guān)重要。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度日益加快,功能日益增多,封裝的冷卻功能也變得越來越重要。
◆ 半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢
圖4概述了近年來半導(dǎo)體封裝技術(shù)的六大發(fā)展趨勢。分析這些趨勢有助于我們了解封裝技術(shù)如何不斷演變并發(fā)揮作用。
首先,由于散熱已經(jīng)成為封裝工藝的一個(gè)重要因素,因此人們開發(fā)出了熱傳導(dǎo)⑥性能較好的材料和可有效散熱的封裝結(jié)構(gòu)。
▲ ⑥熱傳導(dǎo):指在不涉及物質(zhì)轉(zhuǎn)移的情況下,熱量從溫度較高的部位傳遞到相鄰溫度較低部位的過程。
可支持高速電信號(hào)傳輸?shù)姆庋b技術(shù)也成為了一種重要發(fā)展趨勢,因?yàn)榉庋b會(huì)限制半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度。例如,將一個(gè)速度達(dá)每秒20千兆 (Gbps) 的半導(dǎo)體芯片或器件連接至僅支持每秒2千兆(Gbps) 的半導(dǎo)體封裝裝置時(shí),系統(tǒng)感知到的半導(dǎo)體速度將為每秒2千兆 (Gbps)。由于連接至系統(tǒng)的電氣通路是在封裝中創(chuàng)建,因此無論芯片的速度有多快,半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度都會(huì)極大地受到封裝的影響。這意味著,在提高芯片速度的同時(shí),還需要提升半導(dǎo)體封裝技術(shù),從而提高傳輸速度。這尤其適用于人工智能技術(shù)和5G無線通信技術(shù)。鑒于此,倒片封裝⑦和硅通孔(TSV)⑧等封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,為高速電信號(hào)傳輸提供支持。
▲ ⑦倒片封裝(Flip Chip):一種通過將凸點(diǎn)朝下安裝于基板上,將芯片與基板連接的互連技術(shù)。
▲ ⑧硅通孔(TSV):一種可完全穿過硅裸片或晶圓實(shí)現(xiàn)硅片堆疊的垂直互連通道。
另一個(gè)發(fā)展趨勢是三維半導(dǎo)體堆疊技術(shù),它促進(jìn)了半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的變革性發(fā)展。過去,一個(gè)封裝外殼內(nèi)僅包含一個(gè)芯片,而如今可采用多芯片封裝(MCP)和系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)⑨等技術(shù),在一個(gè)封裝外殼內(nèi)堆疊多個(gè)芯片。
▲ ⑨系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP):一種將多個(gè)器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)構(gòu)成一個(gè)系統(tǒng)的封裝技術(shù)。
封裝技術(shù)還呈現(xiàn)半導(dǎo)體器件小型化的發(fā)展趨勢,即縮小產(chǎn)品尺寸。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品逐漸被用于移動(dòng)甚至可穿戴產(chǎn)品,小型化成為客戶的一項(xiàng)重要需求。為了滿足這一需求,許多旨在減小封裝尺寸的技術(shù)隨之而誕生。
此外,半導(dǎo)體產(chǎn)品正越來越多地應(yīng)用于各種環(huán)境中。除了健身房、辦公室或住宅等日常環(huán)境,熱帶雨林、極地地區(qū)、深海甚至太空等環(huán)境中也能見到半導(dǎo)體的身影。由于封裝的基本作用是保護(hù)半導(dǎo)體芯片和器件,因此需要開發(fā)高度可靠的封裝技術(shù),確保半導(dǎo)體產(chǎn)品在此類極端環(huán)境下也能正常工作。
最后,由于半導(dǎo)體封裝是最終產(chǎn)品,封裝技術(shù)不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期功能,還要具有較低的制造成本。
除了上述旨在推進(jìn)封裝技術(shù)特定作用的發(fā)展趨勢,促使封裝技術(shù)發(fā)生演變的另一個(gè)驅(qū)動(dòng)力是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。在圖5中,紅色線條表示自20世紀(jì)70年代以來裝配過程中安裝的印刷電路板(PCB)⑩的特征尺寸變化情況,綠色線條則表示晶圓上CMOS晶體管的特征尺寸變化情況。縮小特征尺寸有助在印刷電路板和晶圓上繪制更小的圖案。
▲ ⑩印刷電路板(PCB):由電路組成的半導(dǎo)體板,且元件焊接在電路板表面。這些電路板通常用于電子設(shè)備中。
20世紀(jì)70年代,印刷電路板與晶圓的特征尺寸差異較小。如今,晶圓正在步入量產(chǎn)階段,同時(shí)特征尺寸小于10納米(nm)的CMOS晶體管也在開發(fā)中,而印刷電路板的特征尺寸依然在100微米(um)的范圍。兩者特征尺寸的差距在過去幾十年里顯著擴(kuò)大。
由于主板以面板的形式制造,且受到成本節(jié)約策略等因素的影響,印刷電路板的特征尺寸變化不大。然而,隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步,CMOS晶體管的特征尺寸大幅縮小,這使得CMOS晶體管的尺寸與印刷電路板的尺寸差距逐漸拉大。但問題在于,半導(dǎo)體封裝技術(shù)需要對(duì)從晶圓上切割下來的芯片進(jìn)行個(gè)性化定制,并將其安裝到印刷電路板上,因此就需要彌補(bǔ)印刷電路板和晶圓之間的尺寸差距。過去,兩者在特征尺寸上的差異并不明顯,因而可以使用雙列直插式封裝(DIP)?或鋸齒型單列式封裝(ZIP)?等通孔技術(shù),將半導(dǎo)體封裝引線插入印刷電路板插座內(nèi)。然而,隨著兩者特征尺寸差異不斷擴(kuò)大,就需要使用薄型小尺寸封裝(TSOP)等表面貼裝技術(shù)(SMT)?將引線固定在主板表面。隨后,球柵陣列(BGA)、倒片封裝、扇出型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)?及硅通孔(TSV)等封裝技術(shù)相繼問世,以彌補(bǔ)晶圓和主板之間不斷擴(kuò)大的尺寸差異。
▲ ?雙列直插式封裝(DIP):一種電氣連接引腳排列成兩行的封裝技術(shù)。
▲ ?鋸齒型單列式封裝(ZIP):一種引腳排列成鋸齒型的封裝技術(shù),是雙列直插式封裝的替代技術(shù),可用于增加安裝密度。
▲ ?表面貼裝技術(shù)(SMT):一種通過焊接將芯片安裝到系統(tǒng)板表面的封裝方法。
▲ ?晶圓級(jí)晶片尺寸封裝(WLCSP):一種在晶圓級(jí)封裝集成電路的技術(shù),是倒片封裝技術(shù)的一個(gè)變體。扇出型晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)的特點(diǎn)在于連接超出(“扇出”)芯片表面。
可以通過兩種方法來開發(fā)半導(dǎo)體封裝并確保其有效性。第一種方法是利用現(xiàn)有封裝技術(shù)來創(chuàng)建適用于新開發(fā)半導(dǎo)體芯片的封裝,然后對(duì)封裝進(jìn)行評(píng)估。第二種方法是開發(fā)一種新的半導(dǎo)體封裝技術(shù),將其應(yīng)用于現(xiàn)有芯片上,并評(píng)估新封裝技術(shù)的有效性。
一般來說,新芯片的開發(fā)和新封裝技術(shù)的應(yīng)用不會(huì)同時(shí)進(jìn)行。原因在于,如果芯片和封裝均未經(jīng)過測試,那么一旦在封裝完成后出現(xiàn)問題,就很難確定問題的原因。鑒于此,業(yè)界會(huì)使用已知缺陷較少的現(xiàn)有量產(chǎn)芯片來測試新的封裝技術(shù),以單獨(dú)驗(yàn)證封裝技術(shù)。在封裝技術(shù)得到驗(yàn)證后,才會(huì)將其應(yīng)用于新芯片的開發(fā),進(jìn)而再生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品。
圖6展示了針對(duì)新芯片的封裝技術(shù)開發(fā)流程。通常,在制造半導(dǎo)體產(chǎn)品時(shí),芯片設(shè)計(jì)和封裝設(shè)計(jì)開發(fā)會(huì)同時(shí)進(jìn)行,以便對(duì)它們的特性進(jìn)行整體優(yōu)化。鑒于此,封裝部門會(huì)在芯片設(shè)計(jì)之前首先考慮芯片是否可封裝。在可行性研究期間,首先對(duì)封裝設(shè)計(jì)進(jìn)行粗略測試,以對(duì)電氣評(píng)估、熱評(píng)估和結(jié)構(gòu)評(píng)估進(jìn)行分析,從而避免在實(shí)際量產(chǎn)階段出現(xiàn)問題。在這種情況下,半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)是指基板或引線框架的布線設(shè)計(jì),因?yàn)檫@是將芯片安裝到主板的媒介。
封裝部門會(huì)根據(jù)封裝的臨時(shí)設(shè)計(jì)和分析結(jié)果,向芯片設(shè)計(jì)人員提供有關(guān)封裝可行性的反饋。只有完成了封裝可行性研究,芯片設(shè)計(jì)才算完成。接下來是晶圓制造。在晶圓制造過程中,封裝部門會(huì)同步設(shè)計(jì)封裝生產(chǎn)所需的基板或引線框架,并由后段制造公司繼續(xù)完成生產(chǎn)。與此同時(shí),封裝工藝會(huì)提前準(zhǔn)備到位,在完成晶圓測試并將其交付到封裝部門時(shí),立即開始封裝生產(chǎn)。
深圳市深鴻盛電子有限公司是一家專業(yè)的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司,專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、制造、技術(shù)服務(wù)與銷售。
HI-SEMICON 主要產(chǎn)品有:多層外延超結(jié)MOS(Multi-epi CoolFET )、平面MOS、中低壓SGT&Trench MOS、碳化硅MOS、碳化硅肖特基二極管(SiC Schottky Diodes)、超快恢復(fù)整流二極管(FRED)、SiC模塊等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子、家電、智能裝備、通訊電源、軌道交通、光伏逆變、新能源充電樁及儲(chǔ)能BMS等領(lǐng)域。
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