站LOGO.png)
公司新聞
編號(hào)：44
查看：40752020-10
30
分析MOS管損壞的五種模式
第一種：雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
典型電路:
第二種：器件發(fā)熱損壞
由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率原因：外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱
●導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，導(dǎo)致一定電流下，功耗增加）
●由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極小）
瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖
●負(fù)載短路
●開關(guān)損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
●內(nèi)置二極管的TRR損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過電流，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。
此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生
在并聯(lián)功率MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容CGD(CRSS)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓VGS(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過柵極-漏極電容CGD和VGS波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。
分享至
類底部icon.jpg){kind=small}
- 關(guān)于深鴻盛
- 公司簡(jiǎn)介
- 公司榮譽(yù)
- 產(chǎn)品中心
- 場(chǎng)效應(yīng)管
- 肖特基二極管
- 超快恢復(fù)二極管
- 碳化硅肖特基二極管
- 碳化硅MOSFET
- 聯(lián)系我們
-
總部地址：深圳市南山區(qū)月亮灣大道前海誠(chéng)進(jìn)大廈402-404
電話：0755-88327180
傳真：0755-88327190
郵箱：sunny@hisemicon.com
- 關(guān)注我們
-
.jpg)
微信公眾號(hào)