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電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計中非常常見，因為做電路設(shè)計很多時候就像在搭積木，這個電路模塊，加上那個電路模塊，拼拼湊湊連起來就是一個電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會出現(xiàn)電壓域不一致的情況，所以模塊間的通訊就要使用電平轉(zhuǎn)換電路了。

上圖是用MOS管實現(xiàn)的I2C總線電平轉(zhuǎn)換電路，實現(xiàn)3.3V電壓域與5V電壓域間的雙向通訊。掛在總線上的有3.3V的器件，也有5V的器件，通過這個電路，大家就可以愉快地玩耍聊天了。

實物對照圖如下。實物的上拉電阻用了4.7K歐姆，可以提供更大的電流驅(qū)動能力。在滿足電路性能的前提下，我喜歡用阻值更大的電阻，因為功耗更低更省電。

原圖分析

分四種情況：

1、當SDA1輸出高電平時：MOS管Q1的V_GS = 0，MOS管關(guān)閉，SDA2被電阻R3上拉到5V。

2、當SDA1輸出低電平時：MOS管Q1的V_GS = 3.3V，大于導(dǎo)通電壓，MOS管導(dǎo)通，SDA2通過MOS管被拉到低電平。

3、當SDA2輸出高電平時：MOS管Q1的V_GS不變，MOS維持關(guān)閉狀態(tài)，SDA1被電阻R2上拉到3.3V。

4、當SDA2輸出低電平時：MOS管不導(dǎo)通，但是它有體二極管！MOS管里的體二極管把SDA1拉低到低電平，此時V_GS約等于3.3V，MOS管導(dǎo)通，進一步拉低了SDA1的電壓。

注：低電平指等于或接近0V。

高電平指等于或接近電源電壓。所以3.3V電壓域的器件，其高電平為等于或接近3.3V；5V電壓域的器件，其高電平為等于或接近5V。

具體要求看芯片的數(shù)據(jù)手冊是怎么說明這個限定范圍的，常見的比如說0.3倍的“芯片供電電壓”以下為低電平，0.7倍的“芯片供電電壓”以上為高電平。
也就是說“芯片供電電壓”為5V的時候，5 x 0.3 = 1.5V 以下為低電平，5 x 0.7 = 3.5V 以上為高電平。

注意事項：

以上是3.3V與5V之間的情況，如果換用其他電壓域之間的轉(zhuǎn)換，如3.3V、2.5V、1.8V等電壓值的兩兩之間，需要注意MOS管的Vgs開啟導(dǎo)通電壓。

給MOS管過高的V_GS會導(dǎo)致MOS管燒壞！給過低的V_GS會導(dǎo)致MOS管打不開！不同型號的MOS管這個參數(shù)值還不一樣！?。?/span>


再來看一下，設(shè)計電路時V_GS可能設(shè)計過小的情況，下圖是2N7002的數(shù)據(jù)手冊：

實際使用時為保證完全開啟、完全導(dǎo)通，設(shè)計上要多預(yù)留余量，比如實際電路中V_GS起碼給到1.8V。因為1.8V的設(shè)計參數(shù)接近數(shù)據(jù)手冊標注的1V臨界值，尤其注意用實驗驗證，確保萬無一失。

總結(jié)：

3.3V跟5V互轉(zhuǎn)的電路已經(jīng)是一個經(jīng)典電路，不像有些MOS管外型看起來跟2N7002一樣，但實際是大功率的，有部分性能規(guī)格浪費了，有部分性能規(guī)格又不一定能滿足需要，主要是還賊貴，具體其他MOS是怎樣的這里就不細究啦。